bisnis.laksamana.id – 21 Mei 2026 | Para ilmuwan dari Georgia Institute of Technology telah mencapai keajaiban dalam pengembangan teknologi memori flash yang dapat bertahan terhadap radiasi ekstrem. Inovasi ini diharapkan dapat meningkatkan keselamatan dan keandalan sistem elektronik di luar angkasa.
Memori flash yang dikembangkan menggunakan material hafnium oxide yang mampu menyimpan data berbasis polarisasi di tingkat atom. Ini berbeda dengan teknologi memori flash biasa yang menggunakan muatan listrik terperangkap. Metode ini membuat cip memori lebih tahan terhadap paparan partikel terionisasi.
Penelitian ini merupakan langkah penting dalam pengembangan teknologi memori flash yang lebih tahan radiasi. Dengan demikian, sistem elektronik di luar angkasa dapat beroperasi lebih stabil dan dapat diandalkan.
Georgia Institute of Technology terus berinovasi dalam pengembangan teknologi memori flash yang lebih canggih. Penelitian ini diharapkan dapat membantu meningkatkan keselamatan dan keandalan sistem elektronik di luar angkasa.
